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SiS412DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.0 8
0.06
0.04
0.02
0
I D = 7. 8 A
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
1.9
1. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
I D = 250 μ A
40
30
20
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
100 μs
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power
1
10 ms
100 ms
1s
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
10 s
DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 69006
S09-0135-Rev. C, 02-Feb-09
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